Identificazione e valutazione dei FET tramite multimetro
Transistor ad effetto di campo, abbreviato in FET. Un tipico transistor è composto da due polarità di portatori di carica, vale a dire portatori di carica maggioritari e portatori di carica minoritari di polarità opposta, che partecipano alla conduzione, quindi è chiamato transistor bipolare. Al contrario, il FET è composto solo da portatori di carica maggioritari che partecipano alla conduzione ed è l'opposto del transistor bipolare, noto anche come transistor unipolare. Appartiene ai dispositivi a semiconduttore controllati in tensione e presenta i vantaggi di elevata resistenza di ingresso (108-109 Ω), basso rumore, basso consumo energetico, ampia gamma dinamica, facile integrazione, nessun fenomeno di guasto secondario e ampia area di lavoro sicura. È diventato un forte concorrente dei transistor bipolari e dei transistor di potenza.
Test di transistor ad effetto di campo
1. Identificazione pin del transistor ad effetto di campo di giunzione:
Il gate di un transistor ad effetto di campo è equivalente alla base del transistor e la sorgente e il drain corrispondono rispettivamente all'emettitore e al collettore del transistor. Posizionalo nell'intervallo R × 1k e utilizza due sonde per misurare la resistenza diretta e inversa tra ciascuno dei due pin. Quando le resistenze diretta e inversa tra due pin sono uguali, entrambe nell'ordine di K Ω, questi due pin sono il drain D e la source S (intercambiabili), e il pin rimanente è il gate G. Per un transistor ad effetto di campo a giunzione con quattro pin, l'altro polo è lo schermo (messo a terra durante l'uso).
2. Porta del giudizio
Tocca un elettrodo del tubo con la sonda nera del multimetro e tocca gli altri due elettrodi con la sonda rossa. Se i valori di resistenza misurati due volte sono entrambi molto piccoli, significa che sono entrambi resistori diretti. Questo transistor appartiene al transistor ad effetto di campo a canale N e anche la sonda nera è collegata al gate.
Il processo di produzione determina che la sorgente e il drain del transistor ad effetto di campo siano simmetrici, intercambiabili e non influenzino il normale funzionamento del circuito, quindi non è necessario distinguerli. La resistenza tra sorgente e scarico è di circa diverse migliaia di ohm.
Si noti che questo metodo non può essere utilizzato per determinare il gate di un transistor ad effetto di campo con gate isolato. Poiché la resistenza di ingresso di questo tipo di tubo è estremamente elevata e la capacità interelettrodica tra gate e source è molto piccola, una piccola quantità di carica può formare un'alta tensione sulla capacità interelettrodica durante la misurazione, che può facilmente danneggiare il tubo.
