Tecniche e metodi per misurare i transistor con un multimetro
Discriminazione degli elettrodi dei transistor e dei tipi di tubi
(1) Metodo di ispezione visiva
① Identificazione del tipo di tubo
In generale, è necessario distinguere se il tipo di tubo è NPN o PNP in base al modello contrassegnato sul rivestimento del tubo. Secondo le norme ministeriali la seconda cifra (lettera) del modello di transistor, A e C rappresentano tubi PNP, B e D rappresentano tubi NPN, ad esempio:
3AX è un transistor a bassa potenza a bassa frequenza di tipo PNP e 3BX è un transistor a bassa potenza a bassa frequenza di tipo NPN
3CG è un transistor a bassa potenza ad alta frequenza di tipo PNP e 3DG è un transistor a bassa potenza ad alta frequenza di tipo NPN
3AD è un transistor ad alta potenza a bassa frequenza di tipo PNP e 3DD è un transistor ad alta potenza a bassa frequenza di tipo NPN
3CA è un transistor ad alta frequenza ad alta potenza di tipo PNP e 3DA è un transistor ad alta potenza ad alta frequenza di tipo NPN
Inoltre, esistono valvole ad alta frequenza e bassa potenza della serie 9011-9018 popolari a livello internazionale, ad eccezione delle valvole PNP per 9012 e 9015, che sono tutte valvole di tipo NPN.
② Discriminazione dei poli del tubo
I transistor di potenza di piccole e medie dimensioni comunemente utilizzati hanno gusci circolari in metallo e un imballaggio in plastica (semicilindrico). La Figura T305 presenta tre forme tipiche e metodi di disposizione degli elettrodi.
(2) Utilizzando un multimetro per determinare l'intervallo di resistenza
All'interno del transistor sono presenti due giunzioni PN, che possono essere utilizzate per distinguere i tre poli e, b e c utilizzando un intervallo di resistenza del multimetro. Nel caso dell'etichettatura del modello fuzzy, questo metodo può essere utilizzato anche per distinguere il tipo di tubo.
① Discriminazione di base
Quando si distingue l'elettrodo del transistor, è necessario verificare prima l'elettrodo di base. Per i tubi NPN, collegare un cavo nero alla base presunta e un cavo rosso agli altri due poli. Se la resistenza misurata è piccola, va da poche centinaia a diverse migliaia di ohm; Quando le sonde nera e rossa vengono scambiate, la resistenza misurata è relativamente elevata, superando diverse centinaia di kiloohm. A questo punto la sonda nera viene collegata all'elettrodo base. Tubo PNP, la situazione è opposta. Durante la misurazione, quando entrambe le giunzioni PN sono polarizzate positivamente, la sonda rossa è collegata all'elettrodo di base.
Infatti, la base dei transistor a basso consumo è generalmente disposta al centro di tre pin. Il metodo sopra può essere utilizzato per collegare rispettivamente le sonde nera e rossa alla base, che non solo possono determinare se le due giunzioni PN del transistor sono intatte (simile al metodo di misurazione per le giunzioni PN dei diodi), ma anche confermare il tubo tipo.
② Discriminazione tra collettore ed emettitore
Dopo aver determinato l'elettrodo di base, supponiamo che uno dei pin rimanenti sia l'elettrodo collettore c e l'altro sia l'elettrodo emettitore e. Usa le dita per pizzicare rispettivamente gli elettrodi c e b (vale a dire, usa le dita per sostituire la resistenza di base Rb). Allo stesso tempo, contattare le due sonde del multimetro rispettivamente con c ed e. Se il tubo da testare è NPN, utilizzare una sonda nera per contattare il polo c e una sonda rossa per collegare il polo e (opposto al tubo PNP) e osservare l'angolo di deflessione del puntatore; Quindi impostare l'altro pin come polo C, ripetere la procedura sopra descritta e confrontare l'angolo di deflessione del puntatore misurato due volte. Quello più grande indica che l'IC è grande e il tubo è in uno stato ingrandito. Le ipotesi corrispondenti per i poli c ed e sono corrette.
2. Misurazione semplice delle prestazioni dei transistor
(1) Misura ICEO e
L'elettrodo di base è aperto e il puntale nero del multimetro è collegato al collettore c del tubo NPN, mentre il puntale rosso è collegato all'emettitore e (opposto al tubo PNP). In questo momento, un valore di resistenza elevato tra c ed e indica un ICEO basso, mentre un valore di resistenza basso indica un ICEO elevato.
Sostituisci la resistenza di base Rb con il dito e misura la resistenza tra c ed e utilizzando il metodo sopra descritto. Se il valore della resistenza è molto inferiore rispetto a quando la base è aperta, indica un valore Alto.
(2) Utilizzare un multimetro per misurare la gamma hFE
Alcuni multimetri hanno una gamma hFE e il fattore di amplificazione della corrente può essere misurato inserendo un transistor secondo la polarità specificata sul misuratore, se è molto piccolo o zero indica che il transistor è stato danneggiato. È possibile misurare due giunzioni PN utilizzando un intervallo di resistenza per confermare se è presente un guasto o un circuito aperto.
3. Selezione dei triodi semiconduttori
La scelta dei transistor dovrebbe innanzitutto soddisfare i requisiti delle apparecchiature e dei circuiti e, in secondo luogo, rispettare il principio di conservazione. A seconda dei diversi scopi, dovrebbero essere generalmente considerati i seguenti fattori: frequenza operativa, corrente di collettore, potenza dissipata, coefficiente di amplificazione di corrente, tensione di rottura inversa, stabilità e caduta di tensione di saturazione. Questi fattori hanno una relazione reciprocamente vincolante e, quando si seleziona la gestione, la contraddizione principale dovrebbe essere colta considerando i fattori secondari.
La frequenza caratteristica fT dei tubi a bassa frequenza è generalmente inferiore a 2,5 MHz, mentre la fT dei tubi ad alta frequenza varia da decine di MHz a centinaia di MHz o anche di più. Quando si selezionano i tubi, fT dovrebbe essere 3-10 volte la frequenza di lavoro. In linea di principio, i tubi ad alta frequenza possono sostituire i tubi a bassa frequenza, ma la potenza dei tubi ad alta frequenza è generalmente relativamente piccola e la gamma dinamica è ristretta. Durante la sostituzione, è necessario prestare attenzione alle condizioni di alimentazione.
Spero generale Scegli una taglia più grande, ma non è necessariamente migliore. Un valore troppo alto può facilmente causare oscillazioni autoeccitate, per non parlare della media. Il funzionamento dei tubi alti è spesso instabile e fortemente influenzato dalla temperatura. solitamente Scelte multiple tra 40 e 100, ma con tubi di valore a basso rumore e ad alto rumore (come 1815, 9011-9015, ecc.), La stabilità della temperatura è ancora buona quando il valore raggiunge diverse centinaia. Inoltre, per l'intero circuito, la selezione dovrebbe basarsi anche sul coordinamento di tutti i livelli. Ad esempio, per lo stadio precedente Alto, per quest'ultimo livello possono essere utilizzati i tubi Inferiori; Al contrario, il livello precedente utilizza il livello inferiore che può essere utilizzato per le fasi successive, i tubi più alti.
La tensione di rottura inversa UCEO del collettore-emettitore deve essere selezionata in modo che sia maggiore della tensione di alimentazione. Minore è la corrente di penetrazione, migliore è la stabilità della temperatura. La stabilità dei normali tubi in silicio è molto migliore di quella dei tubi al germanio, ma la caduta di tensione di saturazione dei normali tubi in silicio è maggiore di quella dei tubi al germanio, il che può influire sulle prestazioni di alcuni circuiti. Dovrebbe essere selezionato in base alla situazione specifica del circuito. Quando si seleziona la potenza dissipativa dei transistor, è necessario lasciare un certo margine in base ai requisiti dei diversi circuiti.
Per i transistor utilizzati nell'amplificazione ad alta frequenza, nell'amplificazione a frequenza intermedia, negli oscillatori e in altri circuiti, è necessario selezionare transistor con elevata frequenza caratteristica fT e piccola capacità interpolare per garantire un elevato guadagno di potenza e stabilità anche alle alte frequenze.
