Metodi per valutare le condizioni dei componenti con un multimetro:
1. Rilevamento di diodi ordinari
Misurare con un multimetro MF47, collegare le sonde rossa e nera a entrambe le estremità del diodo, leggere la lettura e quindi scambiare le sonde per la misurazione. In base ai risultati di due misurazioni, il valore della resistenza diretta dei diodi al germanio a bassa-potenza è solitamente 300-500 Ω, mentre quello dei diodi al silicio è di circa 1k Ω o superiore. La resistenza inversa del tubo al germanio è di diverse decine di kiloohm e la resistenza inversa del tubo al silicio è superiore a 500 k Ω (il valore del diodo ad alta potenza è molto più piccolo). Un buon diodo ha una bassa resistenza diretta e un'elevata resistenza inversa, e maggiore è la differenza tra resistenza diretta e inversa, meglio è. Se la resistenza diretta e inversa misurata è molto piccola e prossima allo zero, indica che il diodo è cortocircuitato internamente; Se la resistenza diretta e inversa è molto elevata o tende all'infinito, significa che all'interno del tubo c'è un circuito aperto. In entrambi i casi, il diodo deve essere rottamato.
Test su strada: testare la resistenza diretta e inversa della giunzione pn del diodo rende più semplice determinare se il diodo sta subendo un cortocircuito da guasto o un circuito aperto.
2. Rilevamento della giunzione Pn
Impostare il multimetro digitale in modalità diodo e misurare la giunzione pn con la sonda. Se conduce nella direzione in avanti, il numero visualizzato è la caduta di tensione diretta della giunzione pn. Innanzitutto, determinare gli elettrodi del collettore e dell'emettitore; Misurare la caduta di tensione diretta di due giunzioni pn con una sonda. L'emettitore ha la caduta di tensione più alta, mentre il collettore ha la caduta di tensione più bassa. Quando si testano le due giunzioni, se la sonda rossa è collegata all'elettrodo comune, il transistor testato è di tipo npn e la sonda rossa è collegata alla base b. Se la sonda nera è collegata all'elettrodo comune, il transistor testato è di tipo pnp e questo elettrodo è la base b. Dopo che il transistor è danneggiato, la giunzione pn può presentare due situazioni: cortocircuito guasto e circuito aperto.
Test nel circuito: il test nel circuito di un transistor viene effettivamente ottenuto testando la resistenza diretta e inversa della giunzione pn per determinare se il transistor è danneggiato. La resistenza di ramo è maggiore della resistenza diretta della giunzione pn. Normalmente, dovrebbe esserci una differenza significativa nella resistenza diretta e inversa misurata, altrimenti la giunzione p-n verrà danneggiata. Quando la resistenza del ramo è inferiore alla resistenza diretta della giunzione pn, il ramo deve essere disconnesso, altrimenti non è possibile determinare la qualità del transistor.
3. Rilevamento del modulo ponte raddrizzatore trifase
Prendendo come esempio il modulo ponte raddrizzatore Semikron, come mostrato nella figura allegata. Impostare il multimetro digitale sulla modalità test diodi, collegare la sonda nera a com e la sonda rossa a v ω e utilizzare le sonde rossa e nera per misurare le caratteristiche del diodo diretto e inverso tra le fasi 3, 4 e 5 e i poli 2 e 1, rispettivamente, per verificare e determinare se il ponte raddrizzatore è intatto. Maggiore è la differenza tra le caratteristiche positive e negative misurate, meglio è; Se le direzioni avanti e indietro sono zero, indica che la fase rilevata è stata interrotta e cortocircuitata; Se entrambe le direzioni avanti e indietro sono infinite, indica che la fase rilevata è stata disconnessa. Se una fase del modulo del ponte raddrizzatore è danneggiata, deve essere sostituita.
4. Rilevamento del modulo IGBT dell'inverter
Impostare il multimetro digitale sulla modalità test diodi e testare le caratteristiche dei diodi diretti e inversi tra i moduli IGBT c1. e1 e c2. e2, nonché tra il gate ge e1, e2, per determinare se il modulo IGBT è intatto.
