Applicazioni dei microscopi a infrarossi nei microdispositivi dell'industria elettronica
Introduzione di base
Con lo sviluppo della nanotecnologia, il suo metodo di miniaturizzazione top-down è stato sempre più applicato nel campo della tecnologia dei semiconduttori. La tecnologia dei circuiti integrati veniva precedentemente chiamata tecnologia "microelettronica" perché la dimensione dei transistor era su scala micrometrica (10⁻⁶ metri).
Tuttavia, la tecnologia dei semiconduttori avanza rapidamente, con una nuova generazione che emerge ogni due anni e le cui dimensioni si riducono della metà. Questa è la famosa legge di Moore. Circa 15 anni fa, l’industria dei semiconduttori è entrata nell’era submicronica, in cui le dimensioni sono inferiori a un micrometro, seguita dall’era submicronica profonda con dimensioni molto inferiori a un micrometro. Nel 2001 le dimensioni dei transistor erano addirittura scese al di sotto di 0,1 micrometri, cioè sotto i 100 nanometri. Siamo quindi nell'era della nanoelettronica e la maggior parte dei futuri circuiti integrati (CI) saranno fabbricati utilizzando la nanotecnologia.
Requisiti tecnici
Attualmente, la principale modalità di guasto dei componenti elettronici è il guasto termico. Le statistiche mostrano che il 55% dei guasti dei dispositivi elettronici sono causati da temperature che superano i limiti specificati. All’aumentare della temperatura, il tasso di guasto dei dispositivi elettronici aumenta in modo esponenziale. In generale, l'affidabilità operativa dei componenti elettronici è estremamente sensibile alla temperatura. Quando la temperatura del dispositivo è compresa tra 70 e 80 gradi, ogni aumento di 1 grado riduce l'affidabilità del 5%. Pertanto è necessaria una misurazione rapida e affidabile della temperatura dei componenti. Poiché i dispositivi a semiconduttore continuano a ridursi di dimensioni, vengono poste esigenze sempre più elevate in termini di risoluzione della temperatura e risoluzione spaziale delle apparecchiature di ispezione.
