Come verificare se un transistor a effetto di campo-è buono o difettoso con un multimetro
A causa della presenza di un diodo di smorzamento tra i poli D-S dei MOSFET comunemente utilizzati, le prestazioni dei MOSFET possono essere determinate utilizzando il livello del diodo di un multimetro digitale per rilevare la caduta di tensione del diodo tra i poli D-S. Il metodo di rilevamento dettagliato è il seguente.
Ruotare l'interruttore del multimetro digitale in modalità diodo, collegare la sonda rossa al polo S e la sonda nera al polo D. A questo punto, lo schermo del multimetro visualizzerà il valore della caduta di tensione del diodo tra i poli D-S. Il valore della caduta di tensione dei transistor ad effetto di campo-ad alta potenza-è solitamente compreso tra 0,4 e 0,8 V (principalmente intorno a 0,6 V); Non dovrebbe esserci alcuna caduta di tensione tra la sonda nera collegata al polo S, la sonda rossa collegata al polo D, il polo G e gli altri pin (ad esempio, in un transistor a effetto di campo-a canale N, un transistor a effetto di campo-a canale P dovrebbe avere un valore di caduta di tensione quando la sonda rossa è collegata al polo D e la sonda nera è collegata al polo S). Al contrario, indica che il transistor ad effetto di campo-è stato danneggiato.
I transistor ad effetto di campo sono solitamente danneggiati da guasti e i pin sono solitamente in uno stato di cortocircuito. Pertanto, anche la caduta di tensione tra i pin dovrebbe essere OV. Dopo ogni misurazione di un transistor ad effetto di campo MOS, una piccola quantità di carica verrà caricata sul condensatore a giunzione G-S, stabilendo una tensione UGS. Quando si misura nuovamente, i perni potrebbero non muoversi (se si utilizza un multimetro digitale, l'errore di misurazione sarà ampio). A questo punto, cortocircuitare brevemente i poli G-S.
Il danno dei transistor a effetto di campo- è solitamente causato da guasti e cortocircuiti. In questo momento, misurando con un multimetro, i pin sono solitamente interconnessi. Dopo che il transistor ad effetto di campo- viene danneggiato, in genere non si verificano danni evidenti. I transistor a effetto di campo-danneggiati gravemente da sovracorrente potrebbero esplodere.
