Come giudicare la qualità dei componenti con un multimetro
1. Rilevazione di diodi ordinari
Misurare con un multimetro MF47, collegare le sonde rosse e nere ad entrambe le estremità del diodo, leggere la lettura e quindi scambiare le sonde per la misurazione. Sulla base dei risultati di due misurazioni, il valore di resistenza in avanti dei diodi di germanio a bassa potenza è generalmente 300-500 Ω, mentre quello dei diodi siliconici è di circa 1K Ω o maggiore. La resistenza inversa del tubo di germanio è di diverse decine di kiloohms e la resistenza inversa del tubo di silicio è superiore a 500k Ω (il valore del diodo ad alta potenza è molto più piccolo). Un buon diodo ha una bassa resistenza in avanti e un'alta resistenza inversa e maggiore è la differenza nella resistenza in avanti e inversa, meglio è. Se la resistenza in avanti e inversa misurata è molto piccola e vicina allo zero, indica che il diodo è corto circuito internamente; Se la resistenza in avanti e inversa è molto elevata o tende all'infinito, indica che c'è un circuito aperto all'interno del tubo. In entrambi i casi, il diodo deve essere demolito.
Durante i test su strada: testare la resistenza in avanti e inversa della giunzione PN del diodo rende più facile determinare se il diodo sta sperimentando un cortometraggio di rottura o un circuito aperto.
2. Rilevamento della giunzione PN
Imposta il multimetro digitale in modalità diodo e misura la giunzione PN con la sonda. Se sta conducendo nella direzione in avanti, il numero visualizzato è la caduta di tensione in avanti della giunzione PN. Innanzitutto, determinare gli elettrodi collezionisti ed emettitori; Misurare la caduta di tensione in avanti di due giunzioni PN con una sonda, in cui l'emettitore ha una caduta di tensione più elevata e il collettore ha una caduta di tensione inferiore. Quando si verificano due giunzioni, se la sonda rossa è collegata al polo comune, il transistor testato è di tipo NPN e la sonda rossa è collegata alla base B; Se la sonda nera è collegata al terminale comune, il transistor testato è di tipo PNP e questo terminale è la base b. Dopo che il transistor è stato danneggiato, ci sono due situazioni per la giunzione PN: corto circuito di rottura e circuito aperto.
Nei test del circuito: nei test del circuito di un transistor si ottiene effettivamente testando la resistenza in avanti e inversa della giunzione PN per determinare se il transistor è danneggiato. La resistenza del ramo è maggiore della resistenza in avanti della giunzione PN. Normalmente, dovrebbe esserci una differenza significativa nella resistenza in avanti e inversa misurata, altrimenti la giunzione PN sarà danneggiata. Quando la resistenza del ramo è inferiore alla resistenza in avanti della giunzione PN, il ramo dovrebbe essere disconnesso, altrimenti la qualità del transistor non può essere determinata.
3. Rilevazione del modulo a tre fasi del ratto raddrizzatore
Prendendo il modulo del ponte raddrizzatore semikron come esempio, come mostrato nella figura allegata. Impostare il multimetro digitale sulla modalità di test del diodo, collegare la sonda nera su COM e la sonda rossa a V ω e utilizzare le sonde rosse e nere per misurare le caratteristiche del diodo in avanti e inversa tra le fasi 3, 4 e 5 e i poli e 1, rispettivamente, per verificare e determinare se il ponte rettificatore è intatto. Maggiore è la differenza nelle caratteristiche positive e negative misurate, meglio è; Se le direzioni in avanti e inversa sono zero, indica che la fase rilevata è stata scomposta e corto circuito; Se entrambe le direzioni in avanti che inversa sono infinite, indica che la fase rilevata è stata disconnessa. Se una fase del modulo ponte raddrizzatore è danneggiata, dovrebbe essere sostituita.
4. Rilevamento del modulo IGBT inverter
Impostare il multimetro digitale sulla modalità di test del diodo e testare le caratteristiche del diodo in avanti e inversa tra i moduli IGBT C1. E1 e C2. E2, nonché tra Gate G ed E1, E2, per determinare se il modulo IGBT è intatto.
